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FDG6320C
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 4 ohm
产品概述
FDG6320C 是一款双N/P沟道, 逻辑电平增强模式MOSFET, 高单元密度, 采用DMOS技术。这种高密度工艺经过优化, 可最大程度地降低导通电阻。该器件设计用于低压应用, 可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。这款双数字FET不需要偏置电阻, 因此可以替代多种数字晶体管, 采用不同的偏置电阻值。
- 小封装尺寸
- 非常低的栅极驱动要求, 允许在3V电路中直接运行 (VGS(th)<lt/>1.5V)
- 栅-源齐纳二极管, 提供优秀的ESD性能
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id P沟道
220mA
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
300mW
产品范围
-
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
220mA
晶体管封装类型
SC-70
耗散功率N沟道
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001