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FDMA1032CZ
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMA1032CZ
库存编号2464130RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续3.7A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.037ohm
连续漏极电流 Id N沟道3.7A
连续漏极电流 Id P沟道3.7A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.037ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.037ohm
晶体管封装类型µFET
阈值栅源电压最大值1V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.4W
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDMA1032CZ is a dual N/P-channel PowerTrench® MOSFET designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It has two independent N and P-channel MOSFETs with low ON-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bidirectional current flow is possible. The MicroFET thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
- Low profile
- Halogen-free
- ±12V Gate to source voltage
- -3.1A Continuous drain current
- 6A Pulsed drain current
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
3.7A
在电阻RDS（上）
0.037ohm
连续漏极电流 Id P沟道
3.7A
漏源通态电阻N沟道
0.037ohm
漏源导通电阻P沟道
0.037ohm
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
1.4W
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.7A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
µFET
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01