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FDMS4D0N12C
功率场效应管, MOSFET, N通道, 120 V, 114 A, 0.0044 ohm, QFN, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY30.470 (CNY34.4311) |
| 10+ | CNY24.800 (CNY28.024) |
| 100+ | CNY20.910 (CNY23.6283) |
| 500+ | CNY19.870 (CNY22.4531) |
| 3000+ | CNY16.660 (CNY18.8258) |
| 6000+ | CNY16.580 (CNY18.7354) |
| 9000+ | CNY16.570 (CNY18.7241) |
包装规格：单件（切割供应）
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS4D0N12C
库存编号2895643
产品范围PowerTrench
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds120V
电流, Id 连续114A
漏源接通状态电阻0.0044ohm
晶体管封装类型QFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散106W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
114A
晶体管封装类型
QFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
106W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
120V
漏源接通状态电阻
0.0044ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
PowerTrench
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001