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FDMS6681Z
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 122 A, 3200 µohm, Power 56, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS6681Z
库存编号2083283RL
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续122A
漏源接通状态电阻3200µohm
晶体管封装类型Power 56
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散73W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围PowerTrench Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (19-Jan-2021)
产品概述
FDMS6681Z是一款-30V P沟道PowerTrench® MOSFET, 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。这款中等电压功率MOSFET经过优化, 结合低栅极电荷 (QG), 小反向恢复电荷 (Qrr)和软反向恢复主体二极管, 为AC/DC电源中的同步整流提供快速开关。采用屏蔽栅结构, 可提供电荷平衡。采用先进的技术, 这款设备的FOM (品质因数 (QGxRDS (ON)))比上一代低66％。新型PowerTrench® MOSFET的软体二极管性能无需缓冲电路或者替换更高的额定电压 - 可以将电压尖峰降至最低。该产品是通用型, 适用于许多不同的应用。
- HBM ESD保护等级 8kV (典型值)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
122A
晶体管封装类型
Power 56
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
73W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (19-Jan-2021)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
3200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
PowerTrench Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003