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FDMS86104
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 16 A, 0.02 ohm, Power 56, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMS86104
库存编号2083314RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续16A
漏源接通状态电阻0.02ohm
晶体管封装类型Power 56
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.9V
功率耗散73W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FDMS86104 is a N-channel MOSFET is produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
- Shielded gate MOSFET technology
- Advanced package and silicon combination for low RDS (ON) and high efficiency
- MSL1 Robust package design
- 100% UIL tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
16A
晶体管封装类型
Power 56
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
73W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.02ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.9V
针脚数
8引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003