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FDN340P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDN340P
库存编号9846310
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续2A
漏源接通状态电阻0.06ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值800mV
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDN340P是一款-20V单P沟道2.5V powerTrench MOSFET, SOT-23封装. 该MOSFET采用PowerTrench工艺制造, 以最大限度地降低导通电阻, 同时保持较低的栅极电荷, 实现卓越的开关性能. 适用于便携式电子产品, 负载开关, 电源管理, 电池充电电路与DC至DC转换.
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (on)
- 低栅极电荷7.2 nC (典型值)
- 漏极至源极电压 (Vds): -20V
- 栅-源电压: ±8V
- 连续漏极电流: -2A
- 功耗Pd: 500mW
- 工作结温范围: -55°C至150°C
- Vgs -2.5V时, 电阻Rds (on)为82mohm
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.06ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000035