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FDN5618P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDN5618P
库存编号9846344
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续1.25A
漏源接通状态电阻0.17ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDN5618P是一款表面安装, 60V P沟道逻辑电平powerTrench MOSFET, superSOT-23封装. PowerTrench工艺可以最大限度地降低导通电阻, 并保持较低的栅极电荷, 实现卓越的开关性能. 该器件非常适合低电压和电池供电的应用.
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (on)
- 漏极至源极电压 (Vds): -60V
- 栅-源电压: ±20V
- 连续漏极电流(ld): -1.25A
- 500mW功耗 (pd)
- Vgs -4.5V时, 185mohm导通电阻
- 工作结温范围: -55°C至150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1.25A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.17ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000035