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FDS4465
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, 表面安装
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|---|---|
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| 7500+ | CNY4.200 (CNY4.746) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS4465
库存编号2323191
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续13.5A
漏源接通状态电阻0.0085ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值600mV
功率耗散2.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS4465 is a P-channel MOSFET produced using rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (1.8 to 8V). It is suitable for load switch and battery protection application.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High current and power handling capability
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
13.5A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.0085ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000227