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FDS86540
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 18 A, 3700 µohm, SOIC, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS86540
库存编号2254257RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续18A
漏源接通状态电阻3700µohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.1V
功率耗散5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS86540 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON), fast switching speed and body diode reverse recovery performance. It is suitable for synchronous rectifier and load switch applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability in a widely used surface-mount package
- 100% UIL tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
3700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000175