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FDS8935
双路场效应管, MOSFET, P通道, 80 V, 80 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.148 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS8935
库存编号2083351RL
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压, Vds80V
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道80V
电流, Id 连续2.1A
在电阻RDS（上）0.148ohm
连续漏极电流 Id N沟道2.1A
连续漏极电流 Id P沟道2.1A
漏源通态电阻N沟道0.148ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.148ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.8V
晶体管封装类型SOIC
功耗 Pd3.1W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2022)
产品概述
The FDS8935 is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It is optimized for RDS (ON), switching performance and ruggedness. The device is suitable for use with load switch and synchronous rectifier applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- ±20V Gate to source voltage
- -2.1A Continuous drain current
- -10A Pulsed drain current
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
80V
漏源电压Vds P沟道
80V
在电阻RDS（上）
0.148ohm
连续漏极电流 Id P沟道
2.1A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2022)
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
80V
电流, Id 连续
2.1A
连续漏极电流 Id N沟道
2.1A
漏源通态电阻N沟道
0.148ohm
漏源导通电阻P沟道
0.148ohm
阈值栅源电压最大值
1.8V
功耗 Pd
3.1W
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000117