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FDS9958
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 60 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.082 ohm
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|---|---|
| 5+ | CNY12.070 (CNY13.6391) |
| 10+ | CNY7.600 (CNY8.588) |
| 100+ | CNY5.250 (CNY5.9325) |
| 500+ | CNY5.010 (CNY5.6613) |
| 2500+ | CNY4.760 (CNY5.3788) |
| 7500+ | CNY4.520 (CNY5.1076) |
| 20000+ | CNY4.270 (CNY4.8251) |
| 37500+ | CNY4.090 (CNY4.6217) |
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多件: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS9958
库存编号2453429
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道2.9A
连续漏极电流 Id P沟道2.9A
漏源通态电阻N沟道0.082ohm
漏源导通电阻P沟道0.082ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS9958 is a PowerTrench® dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for portable electronics applications like load switching and power management, battery charging and protection circuits.
- ±20V Gate to source voltage
- -2.9A Continuous drain current
- -12A Pulsed drain current
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
2.9A
漏源导通电阻P沟道
0.082ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
2.9A
漏源通态电阻N沟道
0.082ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000726