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FDV301N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SOT-23, 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDV301N
库存编号9845011
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续220mA
漏源接通状态电阻4ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.06V
功率耗散350mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDV301N是一款表面安装N沟道逻辑电平增强模式数字FET, SOT-23封装. 此设备具有高密度, DMOS技术, 专门设计用于减少导通电阻并保持低栅极电荷, 已提供出色的开关性能, 这一N通道FET可替代几个不同的数字晶体管, 带有不同的偏置电阻值. FDV301N适用于低电压与电源管理应用.
- 漏极至源极电压 (Vds): 25V
- 栅极-源极电压: 8V
- 连续漏极电流(ld): 220mA
- 功耗 (Pd): 350mW
- Vgs 4.5V时, 低导通电阻 3.1ohm
- 工作温度范围: -55°C到150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
220mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
4ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.06V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033