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FDV303N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDV303N
库存编号2336831
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续680mA
漏源接通状态电阻0.45ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值800mV
功率耗散350mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FDV303N是一款N沟道增强型场效应晶体管, 采用高单元密度, DMOS技术生产。这种高密度工艺可以在低栅极驱动条件下, 减少导通电阻。该器件设计用于一节锂电池或三节镉电池或NMH电池的电路。可用作为逆变器, 或作为高效率微型DC/DC转换, 适用于紧凑型便携式电子设备。即使栅极驱动电压低至2.5 V, 该器件也保证出色的导通电阻。该器件可替代TN0200T和TN0201T晶体管。
- 非常低的栅极驱动要求, 允许在3V电路中运行
- <gt/> 6kV人体模型栅-源齐纳ESD性能
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
680mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
0.45ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.099