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FFB5551
双极晶体管阵列, 双NPN, 160 V, 200 mA, 200 mW
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| 3000+ | CNY1.380 (CNY1.5594) |
| 9000+ | CNY1.300 (CNY1.469) |
| 24000+ | CNY1.230 (CNY1.3899) |
| 45000+ | CNY1.150 (CNY1.2995) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FFB5551
库存编号3368912RL
技术数据表
晶体管极性双NPN
集电极发射电压, Vceo160V
集电极发射极电压最大值NPN160V
集电极直流电流200mA
集电极发射极电压最大值 PNP-
功耗 Pd200mW
连续集电极电流NPN200mA
直流电流增益, hFE30hFE
连续集电极电流NPN-
耗散功率NPN200mW
耗散功率PNP-
直流电流增益hFE最小值NPN30hFE
直流电流增益hFE最小值PNP-
晶体管封装类型SC-70
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN300MHz
转换频率NPN-
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值NPN
160V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流NPN
200mA
连续集电极电流NPN
-
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值PNP
-
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
集电极发射电压, Vceo
160V
集电极直流电流
200mA
功耗 Pd
200mW
直流电流增益, hFE
30hFE
耗散功率NPN
200mW
直流电流增益hFE最小值NPN
30hFE
晶体管封装类型
SC-70
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
300MHz
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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产品合规证书
重量（千克）：.0004