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MJB41CT4G
双极晶体管阵列, NPN, 100 V, 6 A, 65 W
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJB41CT4G
库存编号2535623RL
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射极电压最大值NPN100V
集电极发射电压, Vceo100V
集电极直流电流6A
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流NPN6A
功耗 Pd65W
直流电流增益, hFE15hFE
连续集电极电流NPN-
耗散功率NPN65W
耗散功率PNP-
直流电流增益hFE最小值NPN15hFE
直流电流增益hFE最小值PNP-
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数3引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN3MHz
转换频率NPN-
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The MJB41CT4G is a NPN-PNP complementary silicon Power Transistor with lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves.
- -65 to 150°C Operating junction temperature range
- Electrically same as TIP41 and T1P42 series
技术规格
晶体管极性
NPN
集电极发射电压, Vceo
100V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
功耗 Pd
65W
连续集电极电流NPN
-
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值PNP
-
针脚数
3引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
集电极发射极电压最大值NPN
100V
集电极直流电流
6A
连续集电极电流NPN
6A
直流电流增益, hFE
15hFE
耗散功率NPN
65W
直流电流增益hFE最小值NPN
15hFE
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
3MHz
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001