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MJD50T4G
单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 50+ | CNY3.740 (CNY4.2262) |
| 100+ | CNY3.030 (CNY3.4239) |
| 500+ | CNY2.400 (CNY2.712) |
| 1000+ | CNY2.180 (CNY2.4634) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MJD50T4G
库存编号2317585
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压400V
连续集电极电流1A
功率耗散15W
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率10MHz
直流电流增益, Hfe 最小值30hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The MJD50T4G is a 1A NPN high voltage bipolar Power Transistor designed for line operated audio output amplifier, SWITCHMODE power supply drivers and other switching applications.
- Electrically similar to popular TIP47 and TIP50
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
30hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
400V
功率耗散
15W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
10MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001326