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产品概述
The MMBT918LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the surface-mount package. This device is ideal for low-power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
600MHz
连续集电极电流
50mA
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
15V
功率耗散
225mW
晶体管封装类型
SOT-23
直流电流增益, Hfe 最小值
20hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001