打印页面
MMBTA42LT1G
单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, 表面安装
15,000 有货
需要更多？
6000 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
9000 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.209 (CNY0.2362) |
| 9000+ | CNY0.188 (CNY0.2124) |
| 24000+ | CNY0.159 (CNY0.1797) |
| 45000+ | CNY0.131 (CNY0.148) |
包装规格：单件（整卷供应）
最低: 3000
多件: 3000
CNY627.00 (CNY708.51 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMBTA42LT1G
库存编号2317845
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压300V
连续集电极电流500mA
功率耗散225mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率50MHz
直流电流增益hFE最小值40hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The MMBTA42LT1G is a 300V NPN silicon high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.
- Halogen-free/BFR-free
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 300VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 6VDC Emitter to base voltage (VEBO)
- 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
500mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益hFE最小值
40hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
300V
功率耗散
225mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
50MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBTA42LT1G 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000031