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MMBTA42LT1G
单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, 表面安装
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|---|---|
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| 9000+ | CNY0.191 (CNY0.2158) |
| 24000+ | CNY0.162 (CNY0.1831) |
| 45000+ | CNY0.136 (CNY0.1537) |
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产品概述
The MMBTA42LT1G is a 300V NPN silicon high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.
- Halogen-free/BFR-free
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 300VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 6VDC Emitter to base voltage (VEBO)
- 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
500mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
40hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
300V
功率耗散
225mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
50MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBTA42LT1G 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000031