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NCP5106ADR2G
MOSFET/IGBT驱动器, 高压侧与低压侧, 10V至20V电源, 500mA输出, 100ns延迟, SOIC-8
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.950 (CNY12.3735) |
| 10+ | CNY7.500 (CNY8.475) |
| 50+ | CNY6.970 (CNY7.8761) |
| 100+ | CNY6.430 (CNY7.2659) |
| 250+ | CNY5.570 (CNY6.2941) |
| 500+ | CNY5.050 (CNY5.7065) |
| 1000+ | CNY4.810 (CNY5.4353) |
| 2500+ | CNY4.550 (CNY5.1415) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NCP5106ADR2G
库存编号1547133
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型IGBT, MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流250mA
灌电流500mA
电源电压最小值10V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟100ns
输出延迟100ns
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
250mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
100ns
产品范围
-
MSL
-
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
500mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
100ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000208