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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NJT4031NT1G
库存编号2533335RL
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压40V
连续集电极电流3A
功率耗散2W
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
针脚数4引脚
过渡频率215MHz
直流电流增益, Hfe 最小值100hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The NJT4031NT1G is a 3A NPN bipolar Power Transistor ideal for high speed switching applications where power saving is a concern. It is the combination of low saturation voltage and high gain.
- Low collector-emitter saturation voltage
- High DC current gain
- High current-gain bandwidth product
- Halogen-free
- Minimized power loss
- Very low current requirements
- Ideal for high frequency designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
3A
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
100hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
40V
功率耗散
2W
晶体管安装
表面安装
过渡频率
215MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000198