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NSS40301MDR2G
双极晶体管阵列, 双NPN, 40 V, 3 A, 653 mW
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY4.160 (CNY4.7008) |
| 500+ | CNY4.000 (CNY4.520) |
| 2500+ | CNY3.850 (CNY4.3505) |
| 7500+ | CNY3.690 (CNY4.1697) |
| 20000+ | CNY3.530 (CNY3.9889) |
| 37500+ | CNY3.370 (CNY3.8081) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 5
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NSS40301MDR2G
库存编号3368649RL
技术数据表
晶体管极性双NPN
集电极发射电压, Vceo40V
集电极发射极电压最大值NPN40V
集电极直流电流3A
集电极发射极电压最大值 PNP-
功耗 Pd653mW
连续集电极电流NPN3A
直流电流增益, hFE0.9hFE
连续集电极电流NPN-
耗散功率NPN653mW
耗散功率PNP-
直流电流增益hFE最小值NPN180hFE
直流电流增益hFE最小值PNP-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN100MHz
转换频率NPN-
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值NPN
40V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流NPN
3A
连续集电极电流NPN
-
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值PNP
-
针脚数
8引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
集电极发射电压, Vceo
40V
集电极直流电流
3A
功耗 Pd
653mW
直流电流增益, hFE
0.9hFE
耗散功率NPN
653mW
直流电流增益hFE最小值NPN
180hFE
晶体管封装类型
SOIC
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
100MHz
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000218