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NSTB60BDW1T1G
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP互补, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm, 10 kohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NSTB60BDW1T1G
库存编号2728022RL
产品范围NSTB60 Series
技术数据表
晶体管极性NPN和PNP互补
数字晶体管极性NPN和PNP执行
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极连续电流150mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流150mA
基极输入电阻 R122kohm
基极-发射极电阻R210kohm
电阻比 R1/R2-
晶体管封装类型SOT-363
射频晶体管封装SOT-363
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散385mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值80hFE
产品范围NSTB60 Series
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
NPN和PNP互补
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
150mA
连续集电极电流
150mA
基极-发射极电阻R2
10kohm
晶体管封装类型
SOT-363
引脚数
6引脚
功率耗散
385mW
直流电流增益, Hfe 最小值
80hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
NPN和PNP执行
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
22kohm
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
SOT-363
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
NSTB60 Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002