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NSVMUN5234T1G
晶体管 双极预偏置/数字, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 500+ | CNY0.308 (CNY0.348) |
| 3000+ | CNY0.225 (CNY0.2542) |
| 9000+ | CNY0.202 (CNY0.2283) |
| 24000+ | CNY0.185 (CNY0.209) |
| 45000+ | CNY0.168 (CNY0.1898) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NSVMUN5234T1G
库存编号4317967RL
技术数据表
晶体管极性NPN
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R122kohm
基极-发射极电阻R247kohm
晶体管封装类型SC-70
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散202mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值80hFE
产品范围-
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
NPN
集电极发射极电压最大值 PNP
-
基极输入电阻 R1
22kohm
晶体管封装类型
SC-70
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
集电极发射极电压最大值NPN
50V
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
47kohm
引脚数
3引脚
功率耗散
202mW
直流电流增益, Hfe 最小值
80hFE
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002