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NTBG020N120SC1
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10+ | CNY216.530 (CNY244.6789) |
| 100+ | CNY212.130 (CNY239.7069) |
| 500+ | CNY208.960 (CNY236.1248) |
| 800+ | CNY205.780 (CNY232.5314) |
| 1600+ | CNY202.610 (CNY228.9493) |
| 2400+ | CNY199.430 (CNY225.3559) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG020N120SC1
库存编号3367851RL
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续98A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.02ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值2.7V
功率耗散468W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
98A
漏源接通状态电阻
0.02ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
2.7V
工作温度最高值
175°C
MSL
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
468W
产品范围
EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004