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NTBG022N120M3S
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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| 800+ | CNY90.160 (CNY101.8808) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG022N120M3S
库存编号4036812
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续58A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.022ohm
晶体管封装类型TO-263HV (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值2.72V
功率耗散234W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
58A
漏源接通状态电阻
0.022ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
2.72V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
234W
产品范围
EliteSiC Series
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002