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NTBG1000N170M1
场效应管, MOSFET 模块配置
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTBG1000N170M1
库存编号4318206
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置-
通道类型N Channel
电流, Id 连续4.3A
漏源电压, Vds1.7kV
漏源接通状态电阻1.43ohm
晶体管封装类型D2PAK-7L
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值4.3V
功率耗散51W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead
技术规格
MOSFET模块配置
-
电流, Id 连续
4.3A
漏源接通状态电阻
1.43ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.3V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead
通道类型
N Channel
漏源电压, Vds
1.7kV
晶体管封装类型
D2PAK-7L
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
51W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009979