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NTD5865NLT4G
功率MOSFET, N沟道, 60 V, 46 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品概述
NTD5865NLT4G是一款N沟道功率MOSFET, 低栅极电荷, 高电流能力, 快速开关。
- 100%经过雪崩测试
- ±20V 栅-源电压
- 2.1°C/W热阻 (结到外壳 (漏极))
- 49°C/W热阻 (结到环境)
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
46A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
52W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (17-Jan-2022)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.016ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
Compute Module 3+ Series
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000378