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NTGD1100LT1G
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 8 V, 8 V, 0.04 ohm
已停产
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTGD1100LT1G
库存编号2630398RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds8V
漏源电压Vds N沟道8V
电流, Id 连续-
漏源电压Vds P沟道8V
在电阻RDS（上）0.04ohm
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.04ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.04ohm
晶体管封装类型TSOP
阈值栅源电压最大值1.2V
针脚数6引脚
功耗 Pd830mW
耗散功率N沟道830mW
耗散功率P沟道830mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (10-Jun-2022)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
8V
电流, Id 连续
-
在电阻RDS（上）
0.04ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源通态电阻N沟道
0.04ohm
漏源导通电阻P沟道
0.04ohm
阈值栅源电压最大值
1.2V
功耗 Pd
830mW
耗散功率P沟道
830mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (10-Jun-2022)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
8V
漏源电压Vds P沟道
8V
连续漏极电流 Id N沟道
-
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
TSOP
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
830mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000081