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NTGD4167CT1G
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTGD4167CT1G
库存编号2533185RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续2.6A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道2.6A
在电阻RDS（上）0.052ohm
连续漏极电流 Id P沟道2.6A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.052ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.052ohm
晶体管封装类型TSOP
阈值栅源电压最大值900mV
功耗 Pd900mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道900mW
耗散功率P沟道900mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
2.6A
连续漏极电流 Id N沟道
2.6A
连续漏极电流 Id P沟道
2.6A
漏源通态电阻N沟道
0.052ohm
漏源导通电阻P沟道
0.052ohm
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
900mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.052ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
TSOP
功耗 Pd
900mW
耗散功率N沟道
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000076