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NTHD4102PT1G
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTHD4102PT1G
库存编号2533189RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续2.9A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.064ohm
连续漏极电流 Id N沟道2.9A
连续漏极电流 Id P沟道2.9A
漏源通态电阻N沟道0.064ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.064ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型ChipFET
阈值栅源电压最大值1.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.1W
耗散功率N沟道1.1W
耗散功率P沟道1.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
2.9A
在电阻RDS（上）
0.064ohm
连续漏极电流 Id P沟道
2.9A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
1.1W
耗散功率P沟道
1.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
2.9A
漏源通态电阻N沟道
0.064ohm
漏源导通电阻P沟道
0.064ohm
晶体管封装类型
ChipFET
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000056