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NTJD4152PT1G
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTJD4152PT1G
库存编号2533191RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续880mA
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.215ohm
连续漏极电流 Id N沟道880mA
连续漏极电流 Id P沟道880mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.215ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.215ohm
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值1.2V
针脚数6引脚
功耗 Pd272mW
耗散功率N沟道272mW
耗散功率P沟道272mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
880mA
在电阻RDS（上）
0.215ohm
连续漏极电流 Id P沟道
880mA
漏源通态电阻N沟道
0.215ohm
漏源导通电阻P沟道
0.215ohm
阈值栅源电压最大值
1.2V
功耗 Pd
272mW
耗散功率P沟道
272mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
880mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-363
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
272mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000046