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NTMT125N65S3H
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 24 A, 0.108 ohm, TDFN, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10+ | CNY41.900 (CNY47.347) |
| 100+ | CNY33.910 (CNY38.3183) |
| 500+ | CNY29.500 (CNY33.335) |
| 3000+ | CNY25.700 (CNY29.041) |
| 6000+ | CNY25.190 (CNY28.4647) |
| 9000+ | CNY24.680 (CNY27.8884) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 10
多件: 1
CNY419.00 (CNY473.47 含税)
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMT125N65S3H
库存编号3766216RL
产品范围SUPERFET III
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续24A
漏源接通状态电阻0.108ohm
晶体管封装类型TDFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散171W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围SUPERFET III
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
24A
晶体管封装类型
TDFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
171W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.108ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
4引脚
产品范围
SUPERFET III
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004