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NTR5198NLT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 2.2 A, 0.107 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 10+ | CNY1.400 (CNY1.582) |
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| 500+ | CNY0.821 (CNY0.9277) |
| 1000+ | CNY0.478 (CNY0.5401) |
| 5000+ | CNY0.445 (CNY0.5028) |
| 10000+ | CNY0.436 (CNY0.4927) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTR5198NLT1G
库存编号2399121
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续2.2A
漏源接通状态电阻0.107ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散1.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
NTR5198NLT1G是一款N沟道功率MOSFET，提供60V漏源电压和2.2A连续漏电流。它具有低RDS (ON)，可实现低传导损耗并提高效率。
- 小尺寸表面安装封装
- 无卤素
- 工作结温范围: -55到150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.107ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
NTR5198NLT1G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454