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NTZD3152PT1G
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTZD3152PT1G
库存编号2845410RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续430mA
在电阻RDS（上）0.9ohm
连续漏极电流 Id N沟道430mA
连续漏极电流 Id P沟道430mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.9ohm
漏源导通电阻P沟道0.9ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型SOT-563
阈值栅源电压最大值1V
功耗 Pd280mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道280mW
耗散功率P沟道280mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.9ohm
连续漏极电流 Id P沟道
430mA
漏源通态电阻N沟道
0.9ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
280mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
430mA
连续漏极电流 Id N沟道
430mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.9ohm
晶体管封装类型
SOT-563
功耗 Pd
280mW
耗散功率N沟道
280mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001