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NVBG032N065M3S
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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| 100+ | CNY60.380 (CNY68.2294) |
| 500+ | CNY60.340 (CNY68.1842) |
| 800+ | CNY60.300 (CNY68.139) |
| 1600+ | CNY59.090 (CNY66.7717) |
| 2400+ | CNY57.890 (CNY65.4157) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG032N065M3S
库存编号4583075
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续52A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.044ohm
晶体管封装类型TO-263HV (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散200W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
NVBG032N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET in a 7 pin D2PAK package. It uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 52A
- Typical RDS(ON) = 32mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 113pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
52A
漏源接通状态电阻
0.044ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
200W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001