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NVBG040N120M3S
碳化硅MOSFET, N通道, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10+ | CNY103.270 (CNY116.6951) |
| 100+ | CNY100.140 (CNY113.1582) |
| 500+ | CNY97.000 (CNY109.610) |
| 800+ | CNY94.970 (CNY107.3161) |
| 1600+ | CNY92.940 (CNY105.0222) |
| 2400+ | CNY91.620 (CNY103.5306) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG040N120M3S
库存编号4244653RL
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
MOSFET模块配置-
通道类型N通道
电流, Id 连续49A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0405ohm
晶体管封装类型D2PAK-7L
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值3.22V
功率耗散297W
工作温度最高值175°C
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
MOSFET模块配置
-
电流, Id 连续
49A
漏源接通状态电阻
0.0405ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
3.22V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
D2PAK-7L
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
297W
产品范围
EliteSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001