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NVBG160N120SC1
碳化硅场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 19.5A, TO-263高电压
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVBG160N120SC1
库存编号4130211
技术数据表
通道类型N Channel
电流, Id 连续19.5A
漏源接通状态电阻0.16ohm
晶体管封装类型TO-263HV (D2PAK)
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值3V
工作温度最高值175°C
湿气敏感性等级MSL 3 - 168 hours
技术规格
通道类型
N Channel
漏源接通状态电阻
0.16ohm
Rds(on)测试电压
20V
工作温度最高值
175°C
电流, Id 连续
19.5A
晶体管封装类型
TO-263HV (D2PAK)
阈值栅源电压最大值
3V
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168 hours
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002087