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NVD5C668NLT4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 49 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.180 (CNY19.4134) |
| 10+ | CNY10.840 (CNY12.2492) |
| 100+ | CNY7.620 (CNY8.6106) |
| 500+ | CNY6.810 (CNY7.6953) |
| 2500+ | CNY6.630 (CNY7.4919) |
| 5000+ | CNY6.450 (CNY7.2885) |
| 7500+ | CNY6.270 (CNY7.0851) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVD5C668NLT4G
库存编号2760516
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续49A
漏源接通状态电阻0.0074ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.1V
功率耗散44W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
49A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
44W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0074ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426