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NVMFD5C478NT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.014 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFD5C478NT1G
库存编号2895745RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
电流, Id 连续27A
连续漏极电流 Id N沟道27A
在电阻RDS（上）0.014ohm
连续漏极电流 Id P沟道27A
漏源通态电阻N沟道0.014ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.014ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型DFN
阈值栅源电压最大值3.5V
功耗 Pd23W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道23W
耗散功率P沟道23W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
27A
连续漏极电流 Id P沟道
27A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
23W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
电流, Id 连续
27A
在电阻RDS（上）
0.014ohm
漏源通态电阻N沟道
0.014ohm
漏源导通电阻P沟道
0.014ohm
晶体管封装类型
DFN
功耗 Pd
23W
耗散功率N沟道
23W
工作温度最高值
175°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001