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NVMFS6H818NWFT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMFS6H818NWFT1G
库存编号2835614RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续123A
漏源接通状态电阻0.0031ohm
晶体管封装类型DFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散136W
针脚数5引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
123A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
136W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0031ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
5引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
NVMFS6H818NWFT1G 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000024