打印页面
NVMYS1D3N04CTWG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 252 A, 0.00115 ohm, LFPAK, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVMYS1D3N04CTWG
库存编号2981244
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续252A
漏源接通状态电阻0.00115ohm
晶体管封装类型LFPAK
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散134W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
- Single N-channel power MOSFET
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- 40V minimum drain to source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 250A)
- 100nA maximum gate to source leakage current (VDS = 0V, VGS = 20V)
- 2.5 to 3.5V gate threshold voltage range (VGS = VDS, ID = 180µA)
- 15ns typical turn on delay time (GS = 10V, VDS = 32V, ID = 50A, RG = 2.5ohm)
- 22ns typical rise time (GS = 10V, VDS = 32V, ID = 50A, RG = 2.5ohm)
- LFPAK4 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
252A
晶体管封装类型
LFPAK
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
134W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.00115ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361