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NXH008T120M3F2PTHG
碳化硅MOSFET, 半桥, N通道, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
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|---|---|
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| 5+ | CNY1,057.100 (CNY1,194.523) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NXH008T120M3F2PTHG
库存编号4317991
技术数据表
MOSFET模块配置半桥
通道类型N通道
电流, Id 连续129A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0115ohm
晶体管封装类型Module
针脚数29引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.4V
功率耗散371W
工作温度最高值150°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
129A
漏源接通状态电阻
0.0115ohm
针脚数
29引脚
阈值栅源电压最大值
4.4V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
371W
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001