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NXH010P120MNF1PTG
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 半桥, 双N通道, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Module
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY954.120 (CNY1,078.1556) |
| 5+ | CNY888.880 (CNY1,004.4344) |
| 10+ | CNY823.640 (CNY930.7132) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY954.12 (CNY1,078.16 含税)
品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
114A
漏源接通状态电阻
0.0105ohm
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
250W
产品范围
-
通道类型
双N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
针脚数
18引脚
阈值栅源电压最大值
2.9V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.09