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NXH010P120MNF1PTG
碳化硅MOSFET, EliteSiC, 半桥, 双N通道, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Module
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|---|---|
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| 5+ | CNY926.200 (CNY1,046.606) |
| 10+ | CNY852.260 (CNY963.0538) |
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技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
114A
漏源接通状态电阻
0.0105ohm
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
250W
产品范围
-
通道类型
双N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
针脚数
18引脚
阈值栅源电压最大值
2.9V
工作温度最高值
175°C
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.09