打印页面
NXH100B120H3Q0SG
IGBT模块, 双, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Module
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
22 有货
需要更多？
22 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY567.090 (CNY640.8117) |
| 5+ | CNY530.520 (CNY599.4876) |
| 10+ | CNY529.330 (CNY598.1429) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY567.09 (CNY640.81 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NXH100B120H3Q0SG
库存编号3929801
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
IGBT配置双
连续集电极电流61A
集电极-发射极饱和电压1.77V
功率耗散186W
工作温度最高值150°C
晶体管封装类型Module
IGBT端接焊接
最大集电极发射电压1.2kV
IGBT技术IGBT [Trench/Field Stop]
晶体管安装面板
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
IGBT配置
双
集电极-发射极饱和电压
1.77V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
焊接
IGBT技术
IGBT [Trench/Field Stop]
产品范围
EliteSiC Series
连续集电极电流
61A
功率耗散
186W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.09