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NXH200B100H4F2SG
IGBT模块, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NXH200B100H4F2SG
库存编号3929803
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
IGBT配置PIM
连续集电极电流100A
集电极-发射极饱和电压1.8V
功率耗散93W
工作温度最高值150°C
晶体管封装类型Module
IGBT端接焊接引脚
最大集电极发射电压1kV
IGBT技术IGBT 6 [Trench/Field Stop]
晶体管安装面板
产品范围EliteSiC Series
技术规格
IGBT配置
PIM
集电极-发射极饱和电压
1.8V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
焊接引脚
IGBT技术
IGBT 6 [Trench/Field Stop]
产品范围
EliteSiC Series
连续集电极电流
100A
功率耗散
93W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1kV
晶体管安装
面板
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.09