打印页面
图片仅用于图解说明,详见产品说明。
10 有货
需要更多?
10 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
数量 | 价钱 (含税) |
---|---|
1+ | CNY965.660 (CNY1,091.1958) |
5+ | CNY959.780 (CNY1,084.5514) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY965.66 (CNY1,091.20 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NXH200B100H4F2SG
库存编号3929803
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
IGBT配置PIM
连续集电极电流100A
集电极-发射极饱和电压1.8V
功率耗散93W
工作温度最高值150°C
晶体管封装类型Module
IGBT端接焊接引脚
最大集电极发射电压1kV
IGBT技术IGBT 6 [Trench/Field Stop]
晶体管安装面板
产品范围EliteSiC Series
技术规格
IGBT配置
PIM
集电极-发射极饱和电压
1.8V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
焊接引脚
IGBT技术
IGBT 6 [Trench/Field Stop]
产品范围
EliteSiC Series
连续集电极电流
100A
功率耗散
93W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1kV
晶体管安装
面板
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.09