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NXH350N100H4Q2F2P1G
IGBT模块, Si/SiC混合模块，EliteSiC, 四组, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NXH350N100H4Q2F2P1G
库存编号3929806
产品范围EliteSiC Series
技术数据表
IGBT配置四组
连续集电极电流303A
集电极-发射极饱和电压1.63V
功率耗散592W
工作温度最高值175°C
晶体管封装类型Module
IGBT端接压合
最大集电极发射电压1kV
IGBT技术IGBT [Trench/Field Stop]
晶体管安装面板
产品范围EliteSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
IGBT配置
四组
集电极-发射极饱和电压
1.63V
工作温度最高值
175°C
IGBT端接
压合
IGBT技术
IGBT [Trench/Field Stop]
产品范围
EliteSiC Series
连续集电极电流
303A
功率耗散
592W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.09