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NXH50M65L4C2SG
IGBT模块, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY524.740 (CNY592.9562) |
| 5+ | CNY498.320 (CNY563.1016) |
| 10+ | CNY467.770 (CNY528.5801) |
| 50+ | CNY444.210 (CNY501.9573) |
包装规格：每个
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NXH50M65L4C2SG
库存编号3872101
技术数据表
IGBT配置-
连续集电极电流50A
集电极-发射极饱和电压1.6V
功率耗散-
工作温度最高值150°C
晶体管封装类型DIP
IGBT端接焊接
最大集电极发射电压650V
IGBT技术-
晶体管安装面板
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jan-2018)
技术规格
IGBT配置
-
集电极-发射极饱和电压
1.6V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
焊接
IGBT技术
-
产品范围
-
连续集电极电流
50A
功率耗散
-
晶体管封装类型
DIP
最大集电极发射电压
650V
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jan-2018)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001