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SI4532DY
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号SI4532DY
库存编号2454098RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续3.9A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）53mohm
连续漏极电流 Id N沟道3.9A
连续漏极电流 Id P沟道3.9A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.053ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.053ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The SI4532DY is a dual N/P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where switching, low in-line power loss fast and resistance to transients are needed.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
3.9A
在电阻RDS（上）
53mohm
连续漏极电流 Id P沟道
3.9A
漏源通态电阻N沟道
0.053ohm
漏源导通电阻P沟道
0.053ohm
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
3.9A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000465