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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号SMMBT3904LT1G
库存编号2533347RL
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压40V
连续集电极电流200mA
功率耗散300mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率300MHz
直流电流增益, Hfe 最小值300hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
SMMBT3904LT1G is a NPN general purpose transistor in a 3 pin SOT-23 package.
- Collector-emitter voltage is 40VDC
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Collector current - continuous is 200mA DC
- Collector-base voltage VCBO is 60VDC, emitter-base voltage VEBO is 6.0VDC
- Collector-emitter breakdown voltage (IC = 1.0mAdc, IB = 0) is 40V
- Current gain bandwidth product (IC = 10mAdc, VCE = 20Vdc, f = 100MHz) is 300MHz
- Noise figure (VCE = 5.0Vdc, IC = 100Adc, RS = 1Kohms, f = 1.0KHz) is 5.0dB
- Collector cutoff current (VCE = 30 Vdc, VEB = 3.0 Vdc) is 50nAdc
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
200mA
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
300hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
40V
功率耗散
300mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
300MHz
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000363