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SVD5865NLT4G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 46 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), 通孔
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| 100+ | CNY4.360 (CNY4.9268) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号SVD5865NLT4G
库存编号2630367
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续46A
漏源接通状态电阻0.013ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散71W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
SVD5865NLT4G 的替代之选
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产品概述
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
46A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
71W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.013ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Vietnam
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426